中国元旦·2026新年新气象，BenteIC以存储芯力量，启创算力新纪元
发布时间：2026/1/14 13:40:59
当元旦的钟声即将敲响2026的序章，数字浪潮奔涌向前，存储芯片作为算力时代的核心基石，正迎来由AI驱动的超级周期与技术革新的双重共振。奔腾IC顺势而为、谋定全局，以深耕多年的技术沉淀与前瞻布局，在新年伊始交出硬核答卷，用更高速、更可靠、更智能的半导体存储解决方案，赋能千行百业的新年新增长，让国产化存储的力量在新岁绽放光芒。
2026年，存储芯片市场迎来确定性上行周期，全球八大云厂商资本开支剑指6000亿美元，AI服务器出货量预计翻倍增长，HBM需求暴增63%-70%，智能汽车向TB级存储迈进、AI PC与高端手机存储规格持续拉升，共同点燃存储涨价周期的全新机遇。BenteIC精准锚定市场脉搏，构建覆盖DRAM与NAND Flash的全场景产品矩阵：DDR5内存以3200-6400 MT/s的高速传输与低功耗优势，适配AI服务器存储的海量数据处理需求，搭配后续迭代的DDR6技术，提前布局下一代算力支撑；3D NAND闪存向176层以上高堆叠层数突破，搭配QLC与TLC技术实现容量与成本的最优平衡，满足数据中心存储冷热分层存储升级，SLC与MLC产品则为工业控制场景提供高可靠性保障；更前瞻性布局HBM3E与HBM4高带宽内存，凭借3D堆叠与硅通孔技术打破“内存墙”瓶颈，为大模型训练与推理提供澎湃动力，抢占高端存储市场核心赛道。
在国产化替代的浪潮中，BenteIC扛起本土存储担当，加速存储国产化进程。依托国内产业链技术突破，我们实现核心产品规模化量产，DDR5内存良品率稳步提升，3D NAND闪存与国际主流技术差距持续缩小，LPDDR5X凭借低功耗优势切入AI手机与AI PC赛道，已成功切入企业级SSD、消费电子、物联网存储等核心领域，为华为、浪潮、阿里云等企业提供稳定供应，助力国产存储从“能用”向“好用”跨越。针对智能汽车L3级以上自动驾驶的需求，我们推出符合车规标准的UFS 4.0存储方案，兼具宽温适应性与高可靠性；面向数据安全需求，深度融合存算一体架构与PUF安全技术，打造低功耗、高安全的新型存储芯片，既解决人工智能推断的能效比瓶颈，又为物联网设备筑牢数据安全防线，彰显中国智造的硬核实力。
面对2026年DRAM需求增速26%-30%、NAND需求增速28%-30%的市场红利，benteIC持续加码研发投入，紧跟DDR6、400层以上3D NAND等前沿技术路线，优化PCIe 5.0 SSD传输速率，提升大带宽存储与高容量存储的产品竞争力。我们深化与上下游企业的协同合作，在HBM4量产进程中抢占先机，应对高端存储超80%的市场缺口，让每一颗存储芯片都成为数字经济的“动力细胞”。同时，我们精准匹配通用服务器DDR4需求增长，缓解市场10%-15%的供应缺口，以全品类布局覆盖消费电子、工业控制、汽车电子等多元场景，在存储涨价周期中与合作伙伴共赢成长。
新年新起点，新程新作为，BenteIC以技术为帆、以创新为桨，在2026年的存储蓝海中勇立潮头。我们将以高速存储突破性能边界，以低功耗存储践行绿色理念，以国产化存储筑牢产业根基，持续深耕存算一体、HBM等核心技术，陪伴合作伙伴在新年里乘势而上、奔特致远，共同书写中国存储产业的崭新篇章！
2026年，存储芯片市场迎来确定性上行周期，全球八大云厂商资本开支剑指6000亿美元，AI服务器出货量预计翻倍增长，HBM需求暴增63%-70%，智能汽车向TB级存储迈进、AI PC与高端手机存储规格持续拉升，共同点燃存储涨价周期的全新机遇。BenteIC精准锚定市场脉搏，构建覆盖DRAM与NAND Flash的全场景产品矩阵：DDR5内存以3200-6400 MT/s的高速传输与低功耗优势，适配AI服务器存储的海量数据处理需求，搭配后续迭代的DDR6技术，提前布局下一代算力支撑；3D NAND闪存向176层以上高堆叠层数突破，搭配QLC与TLC技术实现容量与成本的最优平衡，满足数据中心存储冷热分层存储升级，SLC与MLC产品则为工业控制场景提供高可靠性保障；更前瞻性布局HBM3E与HBM4高带宽内存，凭借3D堆叠与硅通孔技术打破“内存墙”瓶颈，为大模型训练与推理提供澎湃动力，抢占高端存储市场核心赛道。
在国产化替代的浪潮中，BenteIC扛起本土存储担当，加速存储国产化进程。依托国内产业链技术突破，我们实现核心产品规模化量产，DDR5内存良品率稳步提升，3D NAND闪存与国际主流技术差距持续缩小，LPDDR5X凭借低功耗优势切入AI手机与AI PC赛道，已成功切入企业级SSD、消费电子、物联网存储等核心领域，为华为、浪潮、阿里云等企业提供稳定供应，助力国产存储从“能用”向“好用”跨越。针对智能汽车L3级以上自动驾驶的需求，我们推出符合车规标准的UFS 4.0存储方案，兼具宽温适应性与高可靠性；面向数据安全需求，深度融合存算一体架构与PUF安全技术，打造低功耗、高安全的新型存储芯片，既解决人工智能推断的能效比瓶颈，又为物联网设备筑牢数据安全防线，彰显中国智造的硬核实力。
面对2026年DRAM需求增速26%-30%、NAND需求增速28%-30%的市场红利，benteIC持续加码研发投入，紧跟DDR6、400层以上3D NAND等前沿技术路线，优化PCIe 5.0 SSD传输速率，提升大带宽存储与高容量存储的产品竞争力。我们深化与上下游企业的协同合作，在HBM4量产进程中抢占先机，应对高端存储超80%的市场缺口，让每一颗存储芯片都成为数字经济的“动力细胞”。同时，我们精准匹配通用服务器DDR4需求增长，缓解市场10%-15%的供应缺口，以全品类布局覆盖消费电子、工业控制、汽车电子等多元场景，在存储涨价周期中与合作伙伴共赢成长。
新年新起点，新程新作为，BenteIC以技术为帆、以创新为桨，在2026年的存储蓝海中勇立潮头。我们将以高速存储突破性能边界，以低功耗存储践行绿色理念，以国产化存储筑牢产业根基，持续深耕存算一体、HBM等核心技术，陪伴合作伙伴在新年里乘势而上、奔特致远，共同书写中国存储产业的崭新篇章！
