• DRAM系列

◦ DDR4：17nm工艺，速度3200MT/s，时序CL36，型号CXMT DDR4 8Gb，用于消费电子和工业控制。

◦ LPDDR5：速度6400Mbps，功耗降低30%，型号CXMT LPDDR5 8Gb，适配智能手机和车载系统。

◦ HBM2：样品阶段，采用TSV封装，计划2026年量产，填补国内高端存储空白。