• DRAM系列

◦ DDR5：采用12nm工艺，支持最高5600MT/s速度（如K4RAH165VB-BIWM），集成ODECC纠错技术，功耗较DDR4降低20%，适用于AI服务器、数据中心及高端笔记本。

◦ LPDDR5X：专为移动设备设计，速度达7500MT/s，功耗降低58%，典型型号如K3LK4G085BM-BCRC，用于旗舰手机和轻薄本。

• NAND Flash系列

◦ V-NAND：堆叠层数超200层，单Die容量达1Tb，接口速度3.6Gbps，支持UFS4.1和PCIe 5.0，广泛应用于SSD（如990 Pro）和嵌入式存储。

◦ eUFS：集成控制器，顺序读写速度超2.1GB/s，适用于智能手机存储模块。